化学气相沉积(CVD)工艺专用H2氢气侦测器：

在半导体 CVD 工艺中，氢气是制备多晶硅、氮化硅等薄膜的关键还原气，同时作为载气精准输送反应原料，但其 4.0%-75.6% 的宽爆炸极限、快速扩散特性，叠加 CVD 工艺低压(10-100Pa)、高温(300-1000℃)及多腐蚀性气体(硅烷、氨气)共存的环境，对氢气监测提出严苛要求。深国安SGA-500-H2氢气侦测器专为化学气相沉积(CVD)工艺场景所以研发的一款高精度氢气报警器装置，产品以“双场景精准监测 + 全环境适配” 为核心，为 3nm-90nm 先进制程筑牢安全与质量防线。

化学气相沉积(CVD)工艺专用H2氢气侦测器兼容电化学，催化燃烧，热传导等传感技术，可实现多量程智能切换：针对泄漏安全监测，0-100% LEL 量程分辨率达 0.1% LEL，响应时间≤1.5 秒，可快速捕捉腔体法兰、阀门的微量泄漏;针对高纯氢气纯度管控，99.99%-100%VOL 量程分辨率 0.001%VOL;针对常规气体浓度监测，例如0-1000PPM，高分率0.001，可精准识别气源杂质，避免因氢气纯度不足导致薄膜电阻率偏差。双模块协同工作，检测误差均≤±3% FS，较传统单原理设备适用场景更广。

设备搭载抗干扰与环境适配设计：316L 不锈钢电解抛光外壳(符合 Class 5 洁净标准)涂覆 PTFE 防腐涂层，耐受 80℃高温与 95% 高湿，屏蔽硅烷、氨气等气体干扰;内置温湿度补偿算法，-20℃~80℃区间数据漂移≤±0.5%/24h，适配低压 CVD(LPCVD)与常压 CVD(APCVD)多场景。支持 4-20mA/RS485 信号输出，可与 CVD 腔体 PLC 系统联动 —— 浓度超 1% LEL 启动局部排风，超 5% LEL 切断气源并启动氮气吹扫，超 10% LEL 触发设备停机，形成闭环防护。

化学气相沉积(CVD)工艺专用H2氢气侦测器带无线联网功能，可通过GPRS接入物联网或监控平台软件等，支持1000台设备联网，实时显示浓度曲线与故障预警，AI 模块可提前 72 小时预判传感器失效。化学气相沉积(CVD)工艺专用H2氢气侦测器已通过SIL安全认证，在上海某客户半导体企业12 英寸 CVD 产线应用中，氢气泄漏处置时间缩短至 30 秒，薄膜良率提升 2.3%，为先进制程 CVD 工艺提供可靠的氢气监测解决方案。