半导体CVD工艺专用H2氢气传感器行业背景：在半导体 CVD 工艺中，氢气作为还原气与载气，需面对硅烷、氨气等腐蚀性气体侵蚀，以及 300-1000℃高温、95% 高湿的复杂环境，传统氢气传感器常因腐蚀失效、温湿度漂移、频繁标定停机等问题影响工艺稳定性。深国安SGA-700系列H2氢气传感器专门针对半导体化学气相沉积(CVD)工艺场景研发的一款高精度H2氢气检测模块，产品以 “抗恶劣环境 + 低运维成本” 为核心，集成抗腐蚀 / 温湿度、多信号输出、免标定三大优势，为 3nm-90nm 先进制程 CVD 设备提供长效可靠的氢气监测。

2025-10-21

化学气相沉积(CVD)工艺专用H2氢气侦测器兼容电化学，催化燃烧，热传导等传感技术，可实现多量程智能切换：针对泄漏安全监测，0-100% LEL 量程分辨率达 0.1% LEL，响应时间≤1.5 秒，可快速捕捉腔体法兰、阀门的微量泄漏;针对高纯氢气纯度管控，99.99%-100%VOL 量程分辨率 0.001%VOL;针对常规气体浓度监测，例如0-1000PPM，高分率0.001，可精准识别气源杂质，避免因氢气纯度不足导致薄膜电阻率偏差。双模块协同工作，检测误差均≤±3% FS，较传统单原理设备适用场景更广。

2025-10-21

化学气相沉积(CVD)工艺专用AR氩气探测器：在半导体 CVD 工艺中，氩气作为保护气(隔绝空气防薄膜氧化)与载气(输送反应气体)，其纯度直接决定薄膜沉积质量 —— 即使 ppb 级(10⁻⁹)的杂质(如氧气、水分)也可能导致晶圆出现针孔、组分偏差等缺陷。深国安自主研发一款化学气相沉积(CVD)工艺专用AR氩气探测器，产品以 “ppb级分辨率” 为核心，专为 3nm-90nm先进制程设计，精准捕捉氩气中微量杂质，为 CVD 工艺纯度管控与安全生产提供可靠监测。

2025-10-21

半导体前道湿法清洗工艺专用双氧水检测仪采用进口电化学传感器，常规检测量程覆 0-100ppm(清洗液挥发监测)与 0-1000ppm(应急泄漏监测)，分辨率达 0.1ppm，响应时间≤5 秒，可快速捕捉清洗槽周边双氧水蒸汽浓度变化，避免浓度超标引发的晶圆损伤或人员呼吸道刺激。

2025-10-17

深国安研发的气相沉积(CVD)工艺专用SGA-501氮气检测仪以 “多量程精准覆盖、高精度实时监测” 为核心，专为半导体晶圆钝化层、光伏电池减反射膜、显示面板 ITO 膜等 CVD 制备场景设计，完美适配低压 / 常压 CVD 设备环境，为工艺稳定性与人员安全提供双重保障。

2025-10-17

SGA-501氨气检测仪是专为薄膜材料制备工艺(CVD/ALD 氮化硅沉积、金属氧化物薄膜合成等)设计的一款工业级NH3气体报警器装置，该设备以“多量程精准覆盖、智能报警联动、无线联网管控” 为核心优势，完美适配洁净室高要求环境，同时满足人员安全防护与工艺浓度控制双重需求，是薄膜生产全流程氨气监测的专用解决方案。

2025-10-16

化学气相沉积(CVD)工艺专用氢气传感器应用背景：化学气相沉积(CVD)是半导体、光伏、新材料等领域的核心工艺，通过气相反应在基底表面沉积薄膜。然而，CVD工艺中氢气(H₂)的精确控制至关重要。例如‌作为载气/反应气‌：氢气常用于携带前驱体或参与还原反应，浓度波动直接影响薄膜质量。‌

2025-10-15

半导体(CVD)工艺专用氢气检测仪搭载工业级GPRS无线传输模块，可实时将检测数据上传至云平台，支持电脑端管理系统与手机 APP 远程查看，数据传输延迟≤1 秒，满足 SEMI 标准对工艺参数记录的要求。内置 16GB 存储芯片，可保存 5 年以上历史数据，支持 Excel 格式导出，便于合规审计。

2025-10-15

实时监测型苯乙烯报警仪针对工业场景的复杂需求，该设备支持三种采样方式定制：扩散式适用于开放车间的自然扩散监测，无需外接动力;泵吸式配备进口微型真空泵，10 秒内可抽取 5 米外气体，适配密闭空间(如反应釜操作间);管道式通过法兰接口直接安装于工艺管道，实时监测苯乙烯输送环节的泄漏情况，满足不同工况下的精准采样需求。

2025-10-13

传统联氨监测设备存在 “数据本地化、报警滞后、依赖人工值守” 等问题，难以应对联氨使用场景的高危需求。深国安这款GPRS无线传输型联氨报警仪，凭借 “秒级响应检测 + GPRS 实时传数 + 短信主动报警” 三重核心能力，构建联氨泄漏的全时段、远距离安全监测体系，让危险预警 “不延迟、无遗漏”。

2025-10-11