半导体前道湿法清洗工艺专用双氧水检测仪：

在半导体前道湿法清洗工艺中，双氧水(H₂O₂)作为关键氧化剂(常与硫酸、氢氟酸配制成清洗液)，用于去除晶圆表面光刻胶残留、金属杂质及有机物污染，其浓度稳定性直接影响清洗效果，浓度过低易导致杂质残留(影响后续光刻精度)，过高则可能腐蚀晶圆表面氧化层。针对工艺中清洗槽温湿度波动大(温度 25-80℃、湿度 60%-95% RH)的特点，深国安新研发半导体前道湿法清洗专用双氧水检测仪以 “强温湿度抗干扰能力” 为核心，为工艺精准控制与人员安全提供可靠监测。

半导体前道湿法清洗工艺专用双氧水检测仪采用进口电化学传感器，常规检测量程覆 0-100ppm(清洗液挥发监测)与 0-1000ppm(应急泄漏监测)，分辨率达 0.1ppm，响应时间≤5 秒，可快速捕捉清洗槽周边双氧水蒸汽浓度变化，避免浓度超标引发的晶圆损伤或人员呼吸道刺激。

半导体前道湿法清洗工艺专用双氧水检测仪内置高精度温湿度补偿模块，可实时修正环境参数对检测结果的影响 ——在 25-80℃工艺温度区间，检测精度保持≤±3% FS;湿度 60%-95% RH 无冷凝环境下，数据漂移≤±0.5ppm/24h，彻底解决传统检测仪因温湿度波动导致的 “误报、漏报” 问题。

半导体前道湿法清洗工艺专用双氧水检测仪支持 4-20mA模拟信号与 RS485 数字传输，可与清洗设备 PLC 系统联动 —— 当双氧水浓度超 50ppm(职业接触限值)时，自动启动局部排风与清洗液浓度调节，实现 “监测 - 调控” 闭环。此外，设备防护等级达 IP67，耐受清洗过程中的喷淋溅水，适配湿法清洗车间潮湿环境，为半导体前道工艺的高洁净、高稳定性需求提供专业监测支持。