半导体气相沉积CVD工艺专用三氯氢硅检测仪应用背景：

在半导体 CVD 工艺中，三氯氢硅(SiHCl₃)是制备多晶硅薄膜的核心硅源，但其易挥发(沸点 31.8℃)、遇水剧烈反应生成氢气(易爆炸)且剧毒(TLV-TWA 1ppm)的特性，对监测响应速度提出严苛要求。深国安专门针对半导体气相沉积CVD工艺等场景自主研发一款SGA-501三氯氢硅检测仪,该设备以“秒级响应 + 高精度” 为核心，为3nm-90nm先进制程筑牢安全防线。

半导体气相沉积CVD工艺专用三氯氢硅检测仪采用高灵敏度电化学传感器技术，可在三氯氢硅泄漏后‌5秒内‌触发报警，远超传统检测仪的响应速度。这一特性确保在泄漏初期即可采取应急措施，避免事故扩大。SGA-501三氯氢硅检测仪检测范围覆盖0-100ppm(可定制)，支持扩散，泵吸，管道等采样方式，精度达±3%FS，满足半导体工艺对微量泄漏的监测需求。同时，设备具备抗干扰能力，可稳定运行于高温、高湿或腐蚀性气体环境。

半导体气相沉积CVD工艺专用三氯氢硅检测仪支持4G/LoRa无线传输与RS485/Modbus协议，可与CVD设备控制系统或工厂安全平台实时联动。当检测到超标时，自动触发排风、关阀等动作，形成闭环安全防护。SGA-501三氯氢硅检测仪通过Ex d IIC T6防爆认证与IP67防护等级，适用于半导体洁净室、设备间等高风险区域，确保长期稳定运行。

应用场景

1.半导体CVD工艺中三氯氢硅储存罐区、输送管道的泄漏监测。

2.工艺腔体周边气体浓度实时监控，防止硅沉积过程异常。

3.配合自动化系统，实现泄漏预警与工艺连锁控制。